Radioelektronikos terminų žodynas. – Vilnius : BĮ UAB „Litimo“. Kazimieras Gaivenis, Gytis Juška, Vidas Kalesinskas. 2000.
Mikroleistungstransistor — mikrovatinės galios tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. micropower transistor vok. Mikroleistungstransistor, m rus. микромощный транзистор, m pranc. transistor à micropuissance, m … Radioelektronikos terminų žodynas
micropower transistor — mikrovatinės galios tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. micropower transistor vok. Mikroleistungstransistor, m rus. микромощный транзистор, m pranc. transistor à micropuissance, m … Radioelektronikos terminų žodynas
mikrovatinės galios tranzistorius — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. micropower transistor vok. Mikroleistungstransistor, m rus. микромощный транзистор, m pranc. transistor à micropuissance, m … Radioelektronikos terminų žodynas
transistor à micropuissance — mikrovatinės galios tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. micropower transistor vok. Mikroleistungstransistor, m rus. микромощный транзистор, m pranc. transistor à micropuissance, m … Radioelektronikos terminų žodynas
Видлар, Роберт — Роберт Джон Видлар Robert John Widlar Видлар у фотошаблона LM10 В … Википедия
Бандгап — Зависимость напряжения на выходе ИС TL431 простейшего бандгапа по трёхтранзисторной схеме Видлара от температуры. Средняя кривая идеальное попадание VREF в номинальное значение (2,495В), верхняя и н … Википедия
